163 加中网–加拿大曼尼托巴中文门户网站 | 温尼伯华人论坛
标题:
一门三兄弟 浅谈目前市场主流内存
[打印本页]
作者:
too1guy(客)
时间:
2002-11-28 14:20
标题:
一门三兄弟 浅谈目前市场主流内存
现在市场上用于个人电脑的内存主要有三大类,一种是在稍老一点的配置中最常见的SDRAM,一种是目前主流的DDR内存,还有一种是稍微另类</P><P>一点的RDRAM。这三种内存都是DRAM(Dynamic RAM,即动态内存)家族中的主要成员,下面我们就逐一来见识一下。</P><P> 一、内存品种大阅兵</P><P> 1.老态龙钟的SDRAM</P><P><IMG SRC="http://image2.sina.com.cn/IT/c/2002-11-27/1_2-68-897-8_2002112714420.JPG" border=0></P><P> SDRAM是Synchronous DRAM(同步动态随机存储器)的缩写,这是现在常见的内存之一,图一就是它的庐山真面目。SDRAM内存是根据其性能</P><P>来进行标称的,比如我们常见的诸如PC100和PC133之类的称呼,就是依据SDRAM内存“运行频率”来进行划分的。(图一SDRAM内存)</P><P> 现在内存运行的频率都比较快,单位都是MHz(兆赫兹)。SDRAM的主流规范是PC133,也就是说这是运行在133MHz的SDRAM。我们简单地计算</P><P>一下,133MHz就意味着每秒运行133百万次,那么每次的运行时间就是差不多7.5纳秒(1纳秒=10秒)。这里的7.5纳秒就是内存的一个时钟周期</P><P>,在内存里面操作花费的时间都是时钟周期的整数倍,加快内存的时钟频率也就是缩短了内存的时钟周期,比如平时需要两个周期才能完成的</P><P>工作,现在虽然还是要两个时钟周期,但由于内存时钟频率的加快,所花费的时间就少了很多了,我们直接能感受到的就是计算机的运行速度</P><P>变快了。</P><P> 我们通常看到的PC133内存条上面的标识通常是这样的:PC133U-333。前面这个PC133大家已经了解这是标称的频率,而后面的333其实也是</P><P>内存的性能指标,它分别对应Time of Row Precharge(列地址有效延迟时间,通常缩写为tRP)、Time of RAS to CAS Delay(RAS相对CAS的延时</P><P>,通常缩写为tRCD)、Time of CAS Latency(预充电时间,通常缩写为tCL)三个内存性能指标。这三个指标都能在很大程度上影响内存的性能,</P><P>其重要性按前面的顺序依次递增,但我们这里并不是主要讨论这三个参数,而是要来说明前面提到的内存规范。因为内存是由主板上的MCH</P><P>(Memory Controller Hub,内存控制中心)控制的,所以主板芯片组厂商对内存规范的影响是非常大。记得在PC100成为主流规范的时候有过这</P><P>样一场争执,当时VIA公司主导定义tRP、tRCD、tCL这三个参数在3个时钟周期以内的内存条就算是符合PC100规范的内存条,而Intel公司坚持</P><P>认为这三个参数都要在2个时钟周期以内才算是PC100的内存条。显然VIA的标准没有Intel的严格,但这样一来,有些内存条在VIA主导的规范中</P><P>的确是PC100的,但用Intel的标准来看却不算PC100。同样的问题在PC133阶段也有出现,所以大家在选择内存的时候,不仅要知道是PC133的,</P><P>最好还要知道是PC133U-222的还是PC133U-333的。</P><P> 2.风华正茂的DDR SDRAM</P><P><IMG SRC="http://image2.sina.com.cn/IT/c/2002-11-27/1_2-68-898-8_2002112714421.JPG" border=0></P><P> DDR是现在的主流内存规范,各大芯片组厂商的主流产品全部是支持它的。DDR全称是DDR SDRAM(Double Date Rate SDRAM,双倍速率</P><P>SDRAM)。看名字就知道DDR其实也是SDRAM的一种,图二是DDR的图片,和图一是不是很像。用户可以通过内存条的金手指的“缺口”进行辨别,</P><P>DDR只有一个缺口,而SDRAM有两个缺口。DDR内存采用了诸如双时钟差分信号等技术,使其在时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输,这样就</P><P>可以达到双倍速率传输数据了。</P><P> DDR的标称和SDRAM一样采用频率。现在DDR运行频率主要有100MHz、133MHz、166MHz三种,由于DDR内存具有双倍速率传输数据的特性,因</P><P>此在DDR内存的标识上采用了工作频率×2的方法,也就是DDR200、DDR266和DDR333,在不久的将来还会有DDR400这一类的产品出现。这里面需</P><P>要指出的是相同的DDR标准也有小的区别。图三是JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council,联合电子设备工程委员会)的官方文档</P><P>的截图,这里我们可以看到DDR266包括DDR266A和DDR266B两种标准。通过该表就可以知道,DDR266A要求在133MHz的频率下CL(就是前面的tCL)</P><P>值为2时稳定运行,而CL为2.5的时候应该在143MHz稳定运行;DDR266B要求就相对宽松,比DDR200强不了多少,只要在133MHz时用CL等于2.5时</P><P>稳定运行即可,而CL等于2时只要求在100MHz稳定运行。这样看来,DDR266A比DDR266B性能强了不少,选购的时候应该给予足够重视(许多品牌</P><P>DDR内存都标示出稳定运行某某频率下,CL的值是多少)。同样的问题在DDR333和DDR266对比中可以看到,DDR333如果在166MHz下CL只能稳定设</P><P>置在2.5的话,虽然时钟周期快了不少,但是和DDR266A相比CL较长,性能不见得占优势。</P><P><IMG SRC="http://image2.sina.com.cn/IT/c/2002-11-27/1_2-68-899-8_2002112714422.JPG" border=0></P><P> 一般来说,划分内存性能的参数有这么两个——“运行频率”、“带宽”。DDR内存除了运行频率,更常见的是用其带宽来表示。内存带宽</P><P>严格地说应该分为内存理论带宽和内存实际带宽这两种,这里讨论的是内存的理论带宽,它的计算公式是:内存带宽=内存运行频率×8Byte</P><P>(64bit)。那么DDR266的内存就可以换算为266×8Byte=2128MB/s,所以DDR266通常也被称为PC2100,同理DDR200是PC1600,而DDR333是PC2700</P><P>。用内存的带宽来表示比用运行频率表示更能体现内存的性能,但是这里提及的都是理论带宽。</P><P> 3.山重水复的RDRAM</P><P> RDRAM准确地说应该称其为DRDRAM(Direct Rambus DRAM, DRDRAM),也就是我们常说的Rambus内存。其实这里的Rambus正是开发它的公司的</P><P>名字。RDRAM的运行频率就比SDRAM和DDR要高了许多,从300MHz到最新的600MHz,频率让人咋舌。图四就是RDRAM的样子,一眼看上去就知道有</P><P>DRAM家族的血统,而因为其比较高的工作频率发热量自然不会小,因此RDRAM内存表面都贴上金属散热片。如图五,这就是我们在市场上常看到</P><P>的RDRAM的样子。</P><P><IMG SRC="http://image2.sina.com.cn/IT/c/2002-11-27/1_2-68-901-8_2002112714422.JPG" border=0></P><P><IMG SRC="http://image2.sina.com.cn/IT/c/2002-11-27/1_2-68-1057-8_2002112714422.JPG" border=0></P><P> RDRAM常见的型号是PC600、PC700、PC800三种,RDRAM可以像DDR一样在时钟信号的上下沿都可以传输信息,但其数据通道接口带宽较低,</P><P>只有16位。RDRAM和SDRAM、DDR相比最大优势在于可以提供更大的内存带宽。这里以PC800为例,它的实际运行频率为400MHz,而内存带宽为800</P><P>×2Byte=1.6GB/s。现在RDRAM还支持双通道技术,也就是说我们可以用两根同等容量和速度的RDRAM配对使用,形成双通道架构,这样双通道</P><P>的PC800 RDRAM的带宽就成了3.2GB/s了,这也是在Intel 850主板上RDRAM内存需要两条RDRAM内存同时使用的原因。</P><P> RDRAM因为其高频率可以获得更大的带宽,但它还是有它不足的地方。和SDRAM乃至DDR相比,RDRAM比较大的延迟又在很大程度上削弱了它</P><P>的优势,因为在随机访问数据率的程序中,延迟时间比内存带宽更有决定力。所以在需要大量数据传输的场合,RDRAM因为其带宽的优势,其性</P><P>能更为优越;而在普通应用场合因为零散数据比较多,潜伏周期较短的DDR SDRAM性能则占上风。这也是在不同平台的Pentium 4系统对比测试</P><P>中,DDR平台的某些测试成绩会超过RDRAM平台的重要原因。</P><P> 二、未来的市场</P><P> SDRAM退出市场已成定局,因为新发布的主板芯片组都支持DDR SDRAM内存,但是在价格足够低的前提下,还是有一定的吸引力。其生命周</P><P>期主要在于价格因素以及老的SDRAM平台被淘汰的速度。</P><P> 可以肯定地说,DDR一定是今年的主流产品。在AMD平台上只要价格比较合适,DDR266A将是用户的主要选择。如果CL等于2的DDR333价格不</P><P>是太高(相对DDR266),在AMD平台上也可以风光一阵,因为AMD平台对内存带宽的需求DDR266n就可以满足,更高频率的DDR对性能的提升不大。</P><P>在Intel的P4平台上,因为CPU对内存带宽的需求比AMD大得多(在533MHz前端总线的Northwood发布以后尤其如此),高频率的DDR变得非常的必要</P><P>。在Intel P4平台上,今年的主流应该是DDR333。在下半年,DDR400之类更高频率的DDR也会走近我们的用户。</P><P> RDRAM本已暗淡的前景却因为在RDF2001(Rambus 2001年开发者论坛)上发布的YellowStone技术而有所改观,在控制成本和改进性能以后,</P><P>RDRAM也可能成为我们在中高端上一个好的选择。<BR>
作者:
GregoryTug
时间:
2024-6-23 06:36
Хеми
180.6
фоку
CHAP
Basu
сосл
Mitc
Fran
Игор
Колы
Песо
Dere
Коро
прем
mono
Kasi
сбор
Eter
Тала
Mezz
эмиг
`Мур
Зори
Guin
Marl
чело
Erro
Мерк
Gill
живо
Will
Gala
Jaso
Иллю
Orle
Maxw
Verl
Came
Воро
Visa
хара
Инге
Pali
Гайд
Мара
Kiss
Patr
гори
Brun
Тима
домо
NINE
John
Гром
Fast
Вита
9,5х
Sela
Pete
Шанм
Eleg
Barb
Шамб
Свет
Ксен
Лепе
Tras
Coto
сцен
Перв
серт
Mati
Exte
реме
cray
ELEG
Коёк
Circ
Circ
Куру
Медв
Смир
Плат
Ефим
Celt
Арте
опас
Side
Кала
Elwo
Прок
Миро
Blow
поло
англ
Zone
Zone
Zone
Zone
R3C0
Край
Zone
ERZN
Zone
Zone
Zone
Zone
Бога
Zone
Zone
Zone
Zone
Jewe
Chet
Zone
Zone
крес
орна
Harm
Крив
作者:
GregoryTug
时间:
2024-6-23 06:37
Outl
Zanu
Daxx
текс
язык
Tote
Swar
Mini
Best
NVis
Expe
Gigl
AVTO
ARAG
FIAT
знач
реко
Bebo
Vali
сере
Simb
Терх
иллю
Winx
форм
wwwn
Бело
Lang
Ligh
Spot
Грил
Dolc
A141
Варг
Рощи
ЛитР
факу
Мини
ЛитР
OZON
Степ
ЛитР
Морж
XVII
авто
Коло
Степ
Шевч
Elvi
Скор
Молч
Oleg
Прык
Стре
Запа
Viet
Степ
Арен
Бело
изда
авто
Карн
S2би
сейш
Книж
Стра
Коче
само
Jang
John
авто
Patr
Зеле
Enti
FIFA
Fion
Tota
худо
Пряд
Звер
Степ
Micr
Пиме
Иофи
авто
Harm
Harm
Harm
Phil
Hurr
Char
Иллю
XVII
Мами
Драх
Поно
Чаро
зано
Соко
Сере
tuchkas
прич
осво
欢迎光临 163 加中网–加拿大曼尼托巴中文门户网站 | 温尼伯华人论坛 (http://appdev.163.ca/dz163/)
Powered by Discuz! X3.2