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[闲聊] 一门三兄弟 浅谈目前市场主流内存

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匿名  发表于 2002-11-28 14:20:18 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
现在市场上用于个人电脑的内存主要有三大类,一种是在稍老一点的配置中最常见的SDRAM,一种是目前主流的DDR内存,还有一种是稍微另类</P><P>一点的RDRAM。这三种内存都是DRAM(Dynamic RAM,即动态内存)家族中的主要成员,下面我们就逐一来见识一下。</P><P>  一、内存品种大阅兵</P><P>  1.老态龙钟的SDRAM</P><P><IMG SRC="http://image2.sina.com.cn/IT/c/2002-11-27/1_2-68-897-8_2002112714420.JPG" border=0></P><P>  SDRAM是Synchronous DRAM(同步动态随机存储器)的缩写,这是现在常见的内存之一,图一就是它的庐山真面目。SDRAM内存是根据其性能</P><P>来进行标称的,比如我们常见的诸如PC100和PC133之类的称呼,就是依据SDRAM内存“运行频率”来进行划分的。(图一SDRAM内存)</P><P>  现在内存运行的频率都比较快,单位都是MHz(兆赫兹)。SDRAM的主流规范是PC133,也就是说这是运行在133MHz的SDRAM。我们简单地计算</P><P>一下,133MHz就意味着每秒运行133百万次,那么每次的运行时间就是差不多7.5纳秒(1纳秒=10秒)。这里的7.5纳秒就是内存的一个时钟周期</P><P>,在内存里面操作花费的时间都是时钟周期的整数倍,加快内存的时钟频率也就是缩短了内存的时钟周期,比如平时需要两个周期才能完成的</P><P>工作,现在虽然还是要两个时钟周期,但由于内存时钟频率的加快,所花费的时间就少了很多了,我们直接能感受到的就是计算机的运行速度</P><P>变快了。</P><P>  我们通常看到的PC133内存条上面的标识通常是这样的:PC133U-333。前面这个PC133大家已经了解这是标称的频率,而后面的333其实也是</P><P>内存的性能指标,它分别对应Time of Row Precharge(列地址有效延迟时间,通常缩写为tRP)、Time of RAS to CAS Delay(RAS相对CAS的延时</P><P>,通常缩写为tRCD)、Time of CAS Latency(预充电时间,通常缩写为tCL)三个内存性能指标。这三个指标都能在很大程度上影响内存的性能,</P><P>其重要性按前面的顺序依次递增,但我们这里并不是主要讨论这三个参数,而是要来说明前面提到的内存规范。因为内存是由主板上的MCH</P><P>(Memory Controller Hub,内存控制中心)控制的,所以主板芯片组厂商对内存规范的影响是非常大。记得在PC100成为主流规范的时候有过这</P><P>样一场争执,当时VIA公司主导定义tRP、tRCD、tCL这三个参数在3个时钟周期以内的内存条就算是符合PC100规范的内存条,而Intel公司坚持</P><P>认为这三个参数都要在2个时钟周期以内才算是PC100的内存条。显然VIA的标准没有Intel的严格,但这样一来,有些内存条在VIA主导的规范中</P><P>的确是PC100的,但用Intel的标准来看却不算PC100。同样的问题在PC133阶段也有出现,所以大家在选择内存的时候,不仅要知道是PC133的,</P><P>最好还要知道是PC133U-222的还是PC133U-333的。</P><P>  2.风华正茂的DDR SDRAM</P><P><IMG SRC="http://image2.sina.com.cn/IT/c/2002-11-27/1_2-68-898-8_2002112714421.JPG" border=0></P><P>  DDR是现在的主流内存规范,各大芯片组厂商的主流产品全部是支持它的。DDR全称是DDR SDRAM(Double Date Rate SDRAM,双倍速率</P><P>SDRAM)。看名字就知道DDR其实也是SDRAM的一种,图二是DDR的图片,和图一是不是很像。用户可以通过内存条的金手指的“缺口”进行辨别,</P><P>DDR只有一个缺口,而SDRAM有两个缺口。DDR内存采用了诸如双时钟差分信号等技术,使其在时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输,这样就</P><P>可以达到双倍速率传输数据了。</P><P>  DDR的标称和SDRAM一样采用频率。现在DDR运行频率主要有100MHz、133MHz、166MHz三种,由于DDR内存具有双倍速率传输数据的特性,因</P><P>此在DDR内存的标识上采用了工作频率×2的方法,也就是DDR200、DDR266和DDR333,在不久的将来还会有DDR400这一类的产品出现。这里面需</P><P>要指出的是相同的DDR标准也有小的区别。图三是JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council,联合电子设备工程委员会)的官方文档</P><P>的截图,这里我们可以看到DDR266包括DDR266A和DDR266B两种标准。通过该表就可以知道,DDR266A要求在133MHz的频率下CL(就是前面的tCL)</P><P>值为2时稳定运行,而CL为2.5的时候应该在143MHz稳定运行;DDR266B要求就相对宽松,比DDR200强不了多少,只要在133MHz时用CL等于2.5时</P><P>稳定运行即可,而CL等于2时只要求在100MHz稳定运行。这样看来,DDR266A比DDR266B性能强了不少,选购的时候应该给予足够重视(许多品牌</P><P>DDR内存都标示出稳定运行某某频率下,CL的值是多少)。同样的问题在DDR333和DDR266对比中可以看到,DDR333如果在166MHz下CL只能稳定设</P><P>置在2.5的话,虽然时钟周期快了不少,但是和DDR266A相比CL较长,性能不见得占优势。</P><P><IMG SRC="http://image2.sina.com.cn/IT/c/2002-11-27/1_2-68-899-8_2002112714422.JPG" border=0></P><P>  一般来说,划分内存性能的参数有这么两个——“运行频率”、“带宽”。DDR内存除了运行频率,更常见的是用其带宽来表示。内存带宽</P><P>严格地说应该分为内存理论带宽和内存实际带宽这两种,这里讨论的是内存的理论带宽,它的计算公式是:内存带宽=内存运行频率×8Byte</P><P>(64bit)。那么DDR266的内存就可以换算为266×8Byte=2128MB/s,所以DDR266通常也被称为PC2100,同理DDR200是PC1600,而DDR333是PC2700</P><P>。用内存的带宽来表示比用运行频率表示更能体现内存的性能,但是这里提及的都是理论带宽。</P><P>  3.山重水复的RDRAM</P><P>  RDRAM准确地说应该称其为DRDRAM(Direct Rambus DRAM, DRDRAM),也就是我们常说的Rambus内存。其实这里的Rambus正是开发它的公司的</P><P>名字。RDRAM的运行频率就比SDRAM和DDR要高了许多,从300MHz到最新的600MHz,频率让人咋舌。图四就是RDRAM的样子,一眼看上去就知道有</P><P>DRAM家族的血统,而因为其比较高的工作频率发热量自然不会小,因此RDRAM内存表面都贴上金属散热片。如图五,这就是我们在市场上常看到</P><P>的RDRAM的样子。</P><P><IMG SRC="http://image2.sina.com.cn/IT/c/2002-11-27/1_2-68-901-8_2002112714422.JPG" border=0></P><P><IMG SRC="http://image2.sina.com.cn/IT/c/2002-11-27/1_2-68-1057-8_2002112714422.JPG" border=0></P><P>  RDRAM常见的型号是PC600、PC700、PC800三种,RDRAM可以像DDR一样在时钟信号的上下沿都可以传输信息,但其数据通道接口带宽较低,</P><P>只有16位。RDRAM和SDRAM、DDR相比最大优势在于可以提供更大的内存带宽。这里以PC800为例,它的实际运行频率为400MHz,而内存带宽为800</P><P>×2Byte=1.6GB/s。现在RDRAM还支持双通道技术,也就是说我们可以用两根同等容量和速度的RDRAM配对使用,形成双通道架构,这样双通道</P><P>的PC800 RDRAM的带宽就成了3.2GB/s了,这也是在Intel 850主板上RDRAM内存需要两条RDRAM内存同时使用的原因。</P><P>  RDRAM因为其高频率可以获得更大的带宽,但它还是有它不足的地方。和SDRAM乃至DDR相比,RDRAM比较大的延迟又在很大程度上削弱了它</P><P>的优势,因为在随机访问数据率的程序中,延迟时间比内存带宽更有决定力。所以在需要大量数据传输的场合,RDRAM因为其带宽的优势,其性</P><P>能更为优越;而在普通应用场合因为零散数据比较多,潜伏周期较短的DDR SDRAM性能则占上风。这也是在不同平台的Pentium 4系统对比测试</P><P>中,DDR平台的某些测试成绩会超过RDRAM平台的重要原因。</P><P>  二、未来的市场</P><P>  SDRAM退出市场已成定局,因为新发布的主板芯片组都支持DDR SDRAM内存,但是在价格足够低的前提下,还是有一定的吸引力。其生命周</P><P>期主要在于价格因素以及老的SDRAM平台被淘汰的速度。</P><P>  可以肯定地说,DDR一定是今年的主流产品。在AMD平台上只要价格比较合适,DDR266A将是用户的主要选择。如果CL等于2的DDR333价格不</P><P>是太高(相对DDR266),在AMD平台上也可以风光一阵,因为AMD平台对内存带宽的需求DDR266n就可以满足,更高频率的DDR对性能的提升不大。</P><P>在Intel的P4平台上,因为CPU对内存带宽的需求比AMD大得多(在533MHz前端总线的Northwood发布以后尤其如此),高频率的DDR变得非常的必要</P><P>。在Intel P4平台上,今年的主流应该是DDR333。在下半年,DDR400之类更高频率的DDR也会走近我们的用户。</P><P>  RDRAM本已暗淡的前景却因为在RDF2001(Rambus 2001年开发者论坛)上发布的YellowStone技术而有所改观,在控制成本和改进性能以后,</P><P>RDRAM也可能成为我们在中高端上一个好的选择。<BR>
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